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    低溫鋁擴散於氫化非晶矽層形成p型膜層及氫化氮化矽應用於矽晶片鈍化之研究
    • 化學工程系 /98/ 碩士
    • 研究生: 徐俊硯 指導教授: 洪儒生
    • 本論文第一部分探討金屬鋁層與氫化非晶矽層接合後, 在低溫下鋁擴散進入非晶矽層形成 p 型膜的現象。研究發現, 當擴散溫度 200℃、擴散時間大於 30 分鐘,p 型膜層呈現微 晶化的結構,其導電率可…
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    • 全文公開日期 2015/07/30 (校內網路)
    • 全文公開日期 本全文未授權公開 (校外網路)
    • 全文公開日期 本全文未授權公開 (國家圖書館:臺灣博碩士論文系統)
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